半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型:专利
作者 | 山本 剛司 |
发表日期 | 2009-07-30 |
专利号 | JP2009170741A |
著作权人 | ローム株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
英文摘要 | 【課題】製造工程において煩雑な作業が強いられることを回避しつつ、半導体レーザ素子からの放熱を促進することが可能な半導体レーザ装置およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】半導体レーザ装置A1は、半導体レーザ素子2と、半導体レーザ素子2が実装された実装部11、半導体レーザ素子2に対して実装部11とは反対側に位置するカバー部12、実装部11およびカバー部12を連結する連結部13、を有する導通支持部材1と、を備える。 【選択図】図1 |
公开日期 | 2009-07-30 |
申请日期 | 2008-01-18 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71787] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ローム株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 剛司. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2009170741A. 2009-07-30. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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