半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹内 邦生; 久納 康光; 畑 雅幸 |
| 发表日期 | 2008-12-04 |
| 专利号 | JP2008294421A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】成長基板の剥離工程などにおいて半導体レーザ素子部にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ素子10は、共振器の延びる方向に延びるリッジ部114aと、リッジ部114aに沿って形成された溝部114bと、溝部114bを挟んでリッジ部114aと反対側に溝部114bに沿って形成された支持部114cとを含む半導体レーザ素子部110と、半導体レーザ素子部110に導電性接着層121を介して接合されるp型Ge基板100とを備えている。そして、導電性接着層121は、半導体レーザ素子部110の溝部114bを埋め込むとともに、半導体レーザ素子部110のリッジ部114aおよび支持部114cと、p型Ge基板100との間の空間を埋めるように形成されている。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2008-12-04 |
| 申请日期 | 2008-04-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71795]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 邦生,久納 康光,畑 雅幸. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2008294421A. 2008-12-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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