半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 田中 智毅; 細田 昌宏; 宮嵜 啓介 |
| 发表日期 | 2010-02-12 |
| 专利号 | JP2010034137A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】小型化、低コスト化および温度制御に有利な構造の半導体レーザ装置を提供すること。 【解決手段】パッケージ90のヒートシンク部92上に設置されたペルチェモジュールM1と、ペルチェモジュールM1上に設置された半導体レーザ素子L1とを備え、ペルチェモジュールM1が、絶縁性の吸熱板11と、絶縁性の放熱板12と、吸熱板11と放熱板12との間に配置されかつ吸熱板11と放熱板12に接合されたN型熱電素子13およびP型熱電素子14とを有してなり、ペルチェモジュールM1の吸熱板11上に半導体レーザ素子L1が接合され、かつヒートシンク部92上にペルチェモジュールM1の放熱板12が接合されたことを特徴とする半導体レーザ装置。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-02-12 |
| 申请日期 | 2008-07-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71809]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 智毅,細田 昌宏,宮嵜 啓介. 半導体レーザ装置. JP2010034137A. 2010-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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