半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 別所 靖之 |
| 发表日期 | 2009-06-04 |
| 专利号 | JP2009124119A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】小型化を図りながら放熱性が低下することを抑制し、かつ、高速応答性を向上させることが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ装置1は、ヘッダ6と、ヘッダ6に取り付けられるサブマウント7と、サブマウント7に取り付けられる半導体レーザ素子部8と、リード3とを備えている。また、半導体レーザ装置1では、半導体レーザ素子部8からのレーザ光の出射方向を矢印Z1方向(前方)とした場合に、リード3の前端部3aは、サブマウント7の矢印Z2方向(後方)側の表面7aよりも矢印Z2方向(後方)に配置され、サブマウント7の半導体レーザ素子部8と電気的に接続された電極7cは、リード3の前端部3aとAuワイヤ100により接続されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-06-04 |
| 申请日期 | 2008-10-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71821]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 別所 靖之. 半導体レーザ装置. JP2009124119A. 2009-06-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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