半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 川西 秀和; 倉本 大; 安齋 信一; 庄司 美和子; 谷口 学 |
| 发表日期 | 2010-05-20 |
| 专利号 | JP2010114202A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】高周波重畳の印加効率の向上と高い耐端面破壊性とを両立することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】p側電極21に、一対の共振器端面10F,10Rおよびその近傍に広領域22を設けることにより、共振器端面10F,10R付近で発生した熱を広領域22を介して放熱させる。また、一対の共振器端面10F,10Rの間の広領域22以外の部分には、広領域22よりも幅WBの狭い帯状の狭領域23を形成する。これにより、共振器端面10F,10R付近以外のp側電極21の面積が小さくなり、キャパシタンスが低減される。一対の共振器端面10F,10Rの中間の位置には、ワイヤボンディングのためのボンディングパッド24を設ける。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-05-20 |
| 申请日期 | 2008-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71825]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川西 秀和,倉本 大,安齋 信一,等. 半導体レーザ素子. JP2010114202A. 2010-05-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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