半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 亀山 真吾; 野村 康彦; 畑 雅幸 |
| 发表日期 | 2009-05-14 |
| 专利号 | JP2009105457A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】反りの矯正に起因するレーザ特性の劣化および半導体レーザ素子の破損が発生するのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ装置40では、共振器の延びる方向に反りを有する半導体レーザ素子50と、半導体レーザ素子50の反りの凹側の表面上に形成されワイヤボンド部115aが設けられたp側電極115と、半導体レーザ素子50の反りの凸側が固定される基台70とを備える。そして、半導体レーザ素子50は、反りの凸側と基台70との間の距離が、共振器の延びる方向に沿って半導体レーザ素子50の反りに応じて変化するように基台70に固定されるとともに、半導体レーザ素子50の反りの凸側と基台70との間の距離のうち、実質的に最も小さい距離を有する領域近傍に対応するp側電極115の部分の近傍に、ワイヤボンド部115aが設けられている。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2009-05-14 |
| 申请日期 | 2009-02-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71829]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 亀山 真吾,野村 康彦,畑 雅幸. 半導体レーザ装置. JP2009105457A. 2009-05-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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