半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 山本 剛司 |
| 发表日期 | 2009-09-17 |
| 专利号 | JP2009212524A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】チップサイズが大きく発熱量の大きいレーザチップの場合でも、ヒートシンク部を大きくして放熱特性を向上させながら、外径の小さい半導体レーザおよびそれを用いた薄型の光ピックアップを提供する。 【解決手段】少なくとも2本のリード14、16が両側に突出するように固定されるステム1の一方の底部(ベース11)側に支持部12が設けられている。そして、その支持部12の上部で前述の突出する2本のリード14、16側に延びるように幅広にヒートシンク部13が形成されている。このヒートシンク部13にレーザチップ2がマウントされている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-09-17 |
| 申请日期 | 2009-04-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71833]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 剛司. 半導体レーザ. JP2009212524A. 2009-09-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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