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半導体レーザ

文献类型:专利

作者青柳 利隆; 白井 聡
发表日期2009-07-30
专利号JP2009170950A
著作权人三菱電機株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ
英文摘要【課題】半導体レーザの前端面と後端面との光出力比を大きくすれば、主軸モードと副軸モードのしきい値利得差が小さくなり、高速変調時に副軸モードが発振し易くなった。 【解決手段】活性層6の上に屈折率結合性の回折格子8、9を有するΛ/2位相シフト型分布帰還構造の屈折率結合型分布半導体レーザにおいて、光の分布帰還方向で見た場合に、後端面側領域1にある回折格子における(高屈折率部分8のデューティ)/(低屈折率部分9のデューティ)の値を、前端面側領域2における値と比較してより大きくすることで、通常の半導体レーザで前端面側領域2が有する程度の結合係数κ2の値よりも、後端面側領域1での結合係数κ1を大きくする。 【選択図】図1
公开日期2009-07-30
申请日期2009-05-08
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71835]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
青柳 利隆,白井 聡. 半導体レーザ. JP2009170950A. 2009-07-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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