半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 西口 晴美; 島 顕洋 |
| 发表日期 | 2010-05-13 |
| 专利号 | JP2010109397A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】発光点相互の間隔を狭くしてもチップ分離の際にチップが欠けたりクラックが発生したりして歩留まりを低下させることがなく、放熱が悪くなることもなく、複数のレーザビームの相対角度ずれが生ずることを抑えることができる半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置の製造方法において、へき開端面に垂直な方向の長さが異なる複数個の半導体レーザバーを、上下に重ね、上下に重ねられた複数個の半導体レーザバーの各へき開端面を、所定の位置にずらす。ここで、上下に重ねられる半導体レーザバーのうち、下側の半導体レーザバーのへき開端面に垂直な方向の長さは、上側の半導体レーザバーのへき開端面に垂直な方向の長さより長いものとする。 【選択図】図9 |
| 公开日期 | 2010-05-13 |
| 申请日期 | 2010-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71837]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西口 晴美,島 顕洋. 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置. JP2010109397A. 2010-05-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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