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光半導体素子

文献类型:专利

作者高木 宏典
发表日期1999-08-06
专利号JP1999214748A
著作权人日亜化学工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体素子
英文摘要【課題】光利用効率に優れ外力や熱衝撃などに強く信頼性の高いワイヤボンディング用の電極を有する光半導体素子を提供することにある。 【解決手段】半導体上に設けられた電極と、電極上の一部にワイヤボンディング用のパッド電極101とを有する光半導体素子100である。半導体上に設けられた電極が半導体表面に沿って、金属酸化物を含む透光性に優れた第1の部位112と実質的に酸素元素を含まず第1の部位を構成する金属元素を少なくとも含有する第2の部位122との部位で構成され、密着性に優れた第2の部位122上にワイヤボンディング用のパッド電極101を形成させたものである。
公开日期1999-08-06
申请日期1998-01-28
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71980]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日亜化学工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
高木 宏典. 光半導体素子. JP1999214748A. 1999-08-06.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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