光半導体素子
文献类型:专利
作者 | 高木 宏典 |
发表日期 | 1999-08-06 |
专利号 | JP1999214748A |
著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光半導体素子 |
英文摘要 | 【課題】光利用効率に優れ外力や熱衝撃などに強く信頼性の高いワイヤボンディング用の電極を有する光半導体素子を提供することにある。 【解決手段】半導体上に設けられた電極と、電極上の一部にワイヤボンディング用のパッド電極101とを有する光半導体素子100である。半導体上に設けられた電極が半導体表面に沿って、金属酸化物を含む透光性に優れた第1の部位112と実質的に酸素元素を含まず第1の部位を構成する金属元素を少なくとも含有する第2の部位122との部位で構成され、密着性に優れた第2の部位122上にワイヤボンディング用のパッド電極101を形成させたものである。 |
公开日期 | 1999-08-06 |
申请日期 | 1998-01-28 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71980] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 高木 宏典. 光半導体素子. JP1999214748A. 1999-08-06. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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