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半導体レーザ励起スラブ固体レーザ装置

文献类型:专利

作者野田 修; 入谷 陽一郎; 松井 一浩; 渡辺 眞生; 赤羽 崇; 岡野 昌博
发表日期1999-12-10
专利号JP1999340551A
著作权人三菱重工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ励起スラブ固体レーザ装置
英文摘要【課題】 スラブ型結晶内の温度分布をジグザグ光路伝搬による熱レンズ光学補償が有効に行われる状態に維持し、冷媒を確実にシールし、また、シール部材の着脱が容易であり、前記結晶から冷媒への熱伝達率が高く、或いは、前記結晶の側面を均一に冷却可能な前記結晶の冷却構造を有するLD励起スラブ固体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 スラブ型YAG結晶の両端面には冷却水をシールし、両端面を断熱し、半導体レーザビームを吸収して発熱することのないシール部材を設ける。シール部材とスラブホルダーの隙間にスペーサ用薄板を挿入する。或いはスラブホルダーの両板状部材の前記結晶挿入部の側面を傾斜構造としてシール部材を締め付ける。前記結晶の側面の水路の流路断面積を水路系で最小にする。前記水路の幅を調節して冷却水の流れを乱流とする。透過板の前記結晶側の面を透過板ホルダーに面接触とする。透過板の全周にOリングを装着し、透過板ホルダーのOリングとの接触面を斜面構造としてOリングをOリング押えで潰すようにする。
公开日期1999-12-10
申请日期1998-05-26
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71990]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱重工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
野田 修,入谷 陽一郎,松井 一浩,等. 半導体レーザ励起スラブ固体レーザ装置. JP1999340551A. 1999-12-10.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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