半導体発光装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 丸谷 幸利 |
| 发表日期 | 2019-03-01 |
| 专利号 | JP6485518B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】放熱性および配列性を向上できる半導体発光装置を提供する。 【解決手段】外部リード50は、キャップ40の貫通孔41bに取り付けられ、外部リード50の一端は、キャップ40の内側で内部リード60と電気的に接続され、外部リード50の他端は、キャップ40の外側に配置される。外部リード50は、取付面30aの法線方向からみて、基体30の外形線30cよりも内側の領域Z1に位置している。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2019-03-20 |
| 申请日期 | 2017-10-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72329]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丸谷 幸利. 半導体発光装置およびその製造方法. JP6485518B2. 2019-03-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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