半导体激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 斯文·格哈德; 克里斯托夫·艾希勒; 克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 |
| 发表日期 | 2019-02-26 |
| 专利号 | CN109390844A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光二极管 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有半导体层序列，所述半导体层序列具有至少一个有源层和脊波导结构，所述脊波导结构具有脊部，所述脊部沿纵向方向从光耦合输出面延伸至后侧面并且所述脊部在垂直于纵向方向的横向方向上通过脊部侧面限界，其中脊部具有第一区域和在垂直于纵向和横向方向的竖直方向上邻接于所述第一区域的第二区域，其中脊部在第一区域中具有第一半导体材料并且在第二区域中具有至少一种与第一半导体材料不同的第二半导体材料，其中脊部在第一区域中具有第一宽度，并且其中脊部在第二区域中具有第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度。 |
| 公开日期 | 2019-02-26 |
| 申请日期 | 2018-08-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72371]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斯文·格哈德,克里斯托夫·艾希勒,克里斯蒂安·鲁姆博尔茨. 半导体激光二极管. CN109390844A. 2019-02-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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