一种高功率准连续半导体激光器芯片
文献类型：专利
| 作者 | 李青民; 孙丞; 仇伯仓; 李波 |
| 发表日期 | 2019-04-12 |
| 专利号 | CN109616869A |
| 著作权人 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高功率准连续半导体激光器芯片 |
| 英文摘要 | 本发明提出一种高功率准连续半导体激光器芯片。该高功率准连续半导体激光器芯片的P型限制层为台阶形态，其中，台阶上层限于台阶基础的中部区域，所述P型接触层限于该台阶上层的表面，所述绝缘层在器件表面相应形成弯折形态，依次覆盖于：1)P型接触层表面未被金属电极覆盖的区域、2)P型接触层侧面和所述台阶上层的侧面、以及3)所述台阶基础的表面。本发明结构简明，有效降低了器件的阈值电流、远场发散角，改善了器件性能，同时保证了其可靠性不受影响，使其满足要求更高的场合。 |
| 公开日期 | 2019-04-12 |
| 申请日期 | 2018-12-28 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72433]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李青民,孙丞,仇伯仓,等. 一种高功率准连续半导体激光器芯片. CN109616869A. 2019-04-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。