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半导体激光器

文献类型:专利

作者林宏翔; 刘佟; 崔晗; 蔡昭权; 魏晓慧
发表日期2019-04-16
专利号CN109638640A
著作权人惠州学院
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光器
英文摘要本发明涉及一种半导体激光器,定义一XYZ空间直角坐标系,则该半导体激光器包括:位于Z轴方向前方和后方的电极;用于在电极通电时产生激光的有源区;位于有源层的Z轴方向前方和后方以及位于有源区周侧的波导层;以及位于波导层的Y轴方向前方和后方的反射层,所述半导体激光器的激光射出口形成在位于Y轴方向前方的反射层上。其中,所述有源区的Y轴方向的前方和后方中的至少一个方向上还形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗。本发明的半导体激光器能够直接输出线偏振激光,无需再外部添加光学器件,结构简单,除作为激光器使用外,本发明的半导体激光器结构还可以应用于介质激光加速器的使用。
公开日期2019-04-16
申请日期2019-01-08
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72440]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位惠州学院
推荐引用方式
GB/T 7714
林宏翔,刘佟,崔晗,等. 半导体激光器. CN109638640A. 2019-04-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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