一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 葛永晖; 刘旺平; 曹阳; 王群; 吕蒙普; 胡加辉; 李鹏 |
| 发表日期 | 2019-05-21 |
| 专利号 | CN109787085A |
| 著作权人 | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，属于半导体技术领域。所述垂直腔面发射激光器包括衬底、下反射层、发光区、上反射层、上金属电极和下金属电极，所述下反射层、所述发光区、所述上反射层和所述上金属电极依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述下金属电极设置在所述衬底的第二表面上，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一表面相对，所述下反射层包括依次层叠的多个硼烯薄膜。本发明通过将下反射层从DBR结构改为依次层叠的多个硼烯薄膜，具有99％以上的反射率和几乎为0的吸光率，作用的波长范围覆盖从红外光到紫外光的整个波段，可以有效增强底部的反光效果，提高VCSEL的正面出光效率。 |
| 公开日期 | 2019-05-21 |
| 申请日期 | 2018-12-28 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72464]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 葛永晖,刘旺平,曹阳,等. 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN109787085A. 2019-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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