氮化物半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 驹田聪; 津田有三 |
| 发表日期 | 2019-05-21 |
| 专利号 | CN109787087A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明的课题在于在使用由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中，一面抑制裂缝的产生一面良好地限制光，从而减低远场图案的纹波。氮化物半导体激光元件1在氮化物半导体基板11和n侧包覆层13之间顺次包括：AlGaN层的第一氮化物半导体层121、Al组分比小于第一氮化物半导体层121的AlGaN层的第二氮化物半导体层122、GaN层的第三氮化物半导体层123、InGaN层的第四氮化物半导体层124、以及AlGaN层的第五氮化物半导体层。 |
| 公开日期 | 2019-05-21 |
| 申请日期 | 2018-10-24 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72465]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 驹田聪,津田有三. 氮化物半导体激光元件. CN109787087A. 2019-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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