一种半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 朱振; 张新; 肖成峰; 李沛旭; 孙素娟; 夏伟; 徐现刚 |
| 发表日期 | 2019-06-11 |
| 专利号 | CN109873298A |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器，其非吸收窗口的制作步骤为：a)通过光刻技术在介质掩膜上形成周期性的掩膜沟槽；b)在介质掩膜上生长固态扩散膜，并在固态扩散膜上覆盖一层介质保护膜；c)将外延片置入扩散炉中进行高温扩散，扩散温度为500‑600℃；d)去除介质掩膜、固态扩散膜及介质保护膜。高温下，固态扩散膜中的Zn原子会扩散进入外延层，诱导量子阱附近的Al、Ga原子混杂，从而增加扩散区量子阱的带隙，形成非吸收窗口，使用固态扩锌形成非吸收窗口技术，提高腔面的抗烧毁能力，工艺更为稳定和均匀，而且安全性也更高。 |
| 公开日期 | 2019-06-11 |
| 申请日期 | 2017-12-05 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72469]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱振,张新,肖成峰,等. 一种半导体激光器. CN109873298A. 2019-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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