一种半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 胡俊杰; 张书明; 刘建平; 李德尧; 张立群; 杨辉 |
| 发表日期 | 2019-07-16 |
| 专利号 | CN110021876A |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，通过对接触层和上限制层的两侧进行离子注入，形成晶格损伤高阻区，限制载流子在所述接触层和上限制层上的横向扩散；再通过对所述晶格损伤高阻区与上电极接触的部分进行晶格损伤修复，形成晶格修复区，使所述晶格修复区恢复导电性能。由此，所述半导体激光器既能起到普通脊形波导半导体激光器对载流子横向扩散的限制作用，还增大了所述接触层与上电极之间的接触面积，即增大了P型欧姆接触的面积，从而降低了上电极的接触电阻，降低了半导体激光器的工作电压。 |
| 公开日期 | 2019-07-16 |
| 申请日期 | 2018-01-10 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72515]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡俊杰,张书明,刘建平,等. 一种半导体激光器及其制备方法. CN110021876A. 2019-07-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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