半导体激光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 车正浩; 金圣九; 申东宰; 申庸确; 河镜虎 |
| 发表日期 | 2019-07-26 |
| 专利号 | CN110061418A |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器件包括：在基底上的第一包覆层，包括氮化镓(GaN)；在第一包覆层上的光波导；顺序地堆叠在光波导上第一接触图案、第一SCH图案、第一有源图案、第二SCH图案、第二包覆层和第二接触图案；以及分别在第一接触图案和第二接触图案上的第一电极和第二电极。 |
| 公开日期 | 2019-07-26 |
| 申请日期 | 2018-12-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72527]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 车正浩,金圣九,申东宰,等. 半导体激光器件及其制造方法. CN110061418A. 2019-07-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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