半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 程洋; 王俊; 赵智德; 谭少阳 |
| 发表日期 | 2019-08-02 |
| 专利号 | CN110086080A |
| 著作权人 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器，该制备方法包括：在半导体激光器晶圆的待扩散区域生长扩散源；对生长有扩散源的晶圆在包含射频电场、砷气氛及轰击离子的环境中退火，形成非吸收窗口。通过实施本发明，在射频电场的作用下，轰击离子会轰击晶圆片表面，在无保护层的扩散源内部产生空位缺陷，富As的环境有利于外延层中的Ga、Al原子向扩散源中扩散，并在扩散源内部同As原子相结合，同时在外延层中留下空位。外延层中空位的增多能够促进杂质向下扩散，提高杂质向下扩散的浓度与深度，减小扩散温度和扩散时间，提高器件的可靠性，降低生产成本。 |
| 公开日期 | 2019-08-02 |
| 申请日期 | 2019-04-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72537]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程洋,王俊,赵智德,等. 半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器. CN110086080A. 2019-08-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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