垂直腔面发射激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 葛永晖; 刘旺平; 曹阳; 王群; 吕蒙普; 胡加辉; 李鹏 |
| 发表日期 | 2019-08-16 |
| 专利号 | CN110137801A |
| 著作权人 | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，属于半导体技术领域。所述垂直腔面发射激光器包括衬底、散热层、下反射层、发光区、上反射层、上金属电极和下金属电极；所述散热层、所述下反射层、所述发光区、所述上反射层和所述上金属电极依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述下金属电极设置在所述衬底的第二表面上，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一表面相对；所述下反射层包括依次层叠的多层硼烯薄膜，所述散热层的材料采用石墨烯或者砷化硼。本发明将下反射层从DBR结构改为依次层叠的多层硼烯薄膜，可以有效增强底部的反光效果，下反射层的反射率将远高于上反射层的反射率，VCSEL的出光效率得到极大提高。 |
| 公开日期 | 2019-08-16 |
| 申请日期 | 2019-03-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72545]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 葛永晖,刘旺平,曹阳,等. 垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN110137801A. 2019-08-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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