半导体激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 斯文·格哈德; 克里斯托夫·艾克勒; 艾尔弗雷德·莱尔; 贝恩哈德·施托耶茨 |
| 发表日期 | 2019-08-16 |
| 专利号 | CN110140264A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光二极管 |
| 英文摘要 | 提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且设计用于，在运行时在有源区域(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)放射，其中有源区域(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中朝向光耦合输出面(6)延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上以直接接触的方式施加有连通的接触结构(4)，其中接触结构(4)在至少一个第一接触区域(241)中具有与表面区域(20)直接接触的第一电接触材料(41)并且在至少一个第二接触区域(242)中具有与表面区域(20)直接接触的第二电接触材料(42)，并且其中第一接触区域和第二接触区域(241，242)彼此邻接。 |
| 公开日期 | 2019-08-16 |
| 申请日期 | 2017-12-21 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72547]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斯文·格哈德,克里斯托夫·艾克勒,艾尔弗雷德·莱尔,等. 半导体激光二极管. CN110140264A. 2019-08-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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