发光器件
文献类型:专利
作者 | 成演准; 丁圣勋 |
发表日期 | 2019-05-14 |
专利号 | CN104518065B |
著作权人 | LG伊诺特有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 发光器件 |
英文摘要 | 本发明公开了一种发光器件、发光器件封装和照明设备,所述发光器件包括:衬底;光提取层,布置在衬底上,该光提取层具有的折射率高于衬底的折射率并低于发光结构的折射率,并且包括接触衬底的第一区域和与第一区域相向布置的第二区域,第一区域具有比第二区域的横截面积大的横截面积;以及发光结构,布置在衬底和光提取层上,该发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及有源层。本发明的发光器件具有较高的光提取效率。 |
公开日期 | 2019-05-14 |
申请日期 | 2014-10-08 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72811] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 成演准,丁圣勋. 发光器件. CN104518065B. 2019-05-14. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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