工艺参数对电弧离子镀膜过程中基体温度的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 黄美东 ; 中国科学院金属研究所 ; 孙超 ; 闻立时 ; 林国强 ; 董闯 |
| 出版日期 | 2002-08-01 |
| 会议名称 | 首届中国热处理活动周学术会议 |
| 会议日期 | 2002-08-01 |
| 会议地点 | 北京 |
| 关键词 | 工艺参数 电弧离子镀 基体温度 热电偶接触法 |
| 中文摘要 | 用热电偶直接接触法测量了不同工艺参数条件下基体的沉积温度,结果表明,基体偏压幅值越高,电弧电流越大,靶与基体的间距越小,基体的沉积温度越高.设备结构对基体沉积温度也有影响.当工艺参数相同时,不同设备上测得的温度不同,分析表明,基体的沉积温度决定于不同工艺参数条件下离子对基体的平均轰击功率,脉冲偏压是实现电弧离子低温沉积的有效途径之一. |
| 会议主办者 | 中国机械工程学会 |
| 会议录 | 首届中国热处理活动周学术会议论文集
 |
| 会议录出版者 | 中国机械工程学会 |
| 会议录出版地 | 北京 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/69508]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄美东,中国科学院金属研究所,孙超,等. 工艺参数对电弧离子镀膜过程中基体温度的影响[C]. 见:首届中国热处理活动周学术会议. 北京. 2002-08-01. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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