半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
文献类型：专利
| 作者 | 成演准; 姜基晩; 金珉成; 朴修益; 李容京; 李恩得; 林显修 |
| 发表日期 | 2019-06-21 |
| 专利号 | CN109923682A |
| 著作权人 | LG伊诺特有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装 |
| 英文摘要 | 在一个实施例中公开了一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，与第一导电半导体层电连接；第二电极，与第二导电半导体层电连接；反射层，设置在第二电极上；以及覆盖层，设置在反射层上并包括多个层，其中，覆盖层包括直接设置在所述反射层上的第一层，并且第一层包括Ti。 |
| 公开日期 | 2019-06-21 |
| 申请日期 | 2017-11-03 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72883]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成演准,姜基晩,金珉成,等. 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装. CN109923682A. 2019-06-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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