半导体器件封装
文献类型：专利
| 作者 | 金恩珠; 金佳衍; 金乐勋; 孙政焕; 全永炫 |
| 发表日期 | 2018-06-01 |
| 专利号 | CN108110119A |
| 著作权人 | LG伊诺特有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件封装 |
| 英文摘要 | 公开了一种半导体器件封装和包括该半导体器件封装的照明装置。半导体器件封装可以包括：衬底；第一电极单元，设置在衬底上；发光器件，设置在第一电极单元的第一区域中；第二电极单元，与第一电极单元电断开并设置在衬底上；绝缘反射层，在第一电极单元与第二电极单元之间设置在发光器件的周围并包括多边形形状。采用本公开的技术方案，解决了由于衬底的镀层的变色而导致的光速降低的问题。 |
| 公开日期 | 2018-06-01 |
| 申请日期 | 2017-11-27 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72888]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金恩珠,金佳衍,金乐勋,等. 半导体器件封装. CN108110119A. 2018-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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