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半導体レーザモジユール

文献类型:专利

作者清水 春仁
发表日期1993-03-05
专利号JP1993055710A
著作权人日本電気株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザモジユール
英文摘要【目的】 半導体レーザモジュールの半導体レーザの発振条件を安定させるため、半導体レーザの温度制御を精度よく行う。 【構成】 ヒートシンク8の同一面上に半導体レーザ1とその温度センサであるサーミスタ4を設置し、電子冷却素子5から見て半導体レーザ1とサーミスタ4の熱抵抗を同じにする。電子冷却素子5はサーミスタ4の温度検出結果により制御されるので、半導体レーザ1は精度よく温度制御される。
公开日期1993-03-05
申请日期1991-08-23
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72938]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電気株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
清水 春仁. 半導体レーザモジユール. JP1993055710A. 1993-03-05.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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