半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 今井 浩文; 山口 哲 |
| 发表日期 | 1993-07-02 |
| 专利号 | JP1993167143A |
| 著作权人 | 新日本製鐵株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザの発光部に付随する冷却部を安全かつ簡便な方法にて小型化し、複数の半導体レーザの発光部を近接して配置することが出来る半導体レーザ装置とする。 【構成】 半導体レーザとして光出力10Wのアレイ半導体レーザ1を用い、これを銅のスペーサー2を介して半導体レーザ1の温度制御用ペルチエ素子3に取り付け、これらを一体として銅のヒートブロック4上に配置し、このヒートブロック4をヒートパイプ5の片方の端に固定し、他端に放熱フィン6を取り付け、空冷ファン7により強制空冷し、アレイ半導体レーザ1の良好な動作を得る。発光部8を近接して配置した2台のアレイ半導体レーザ1からの出射光をコリメーティングレンズ9でコリメートした後、各々の偏波面を偏波合成用偏光ビームスプリッター10の入力ポートに合わせて配置し、偏波合成光出力11を得る。 |
| 公开日期 | 1993-07-02 |
| 申请日期 | 1991-12-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72943]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新日本製鐵株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今井 浩文,山口 哲. 半導体レーザ装置. JP1993167143A. 1993-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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