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半導体レーザモジュール

文献类型:专利

作者清水 春仁
发表日期1993-11-26
专利号JP1993315696A
著作权人NEC CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザモジュール
英文摘要【構成】半導体レーザ100を上に設置するためのヒートシンク106と、半導体レーザ100の温度を検出するためのサーミスタ103と、サーミスタ103を上に設置するためのヒートシンク106とほぼ同一の熱抵抗を持った熱抵抗部材107と、半導体レーザ100を冷却するための電子冷却素子104と、サーミスタ103が検出の温度に応じて電子冷却素子104の駆動電流を制御する制御回路とを有する。 【効果】電子冷却素子104からみた半導体レーザ100およびサーミスタ103までの熱抵抗はほぼ等しい。したがって、半導体レーザ100の温度変化を正確にモニタすることができるので、精度よく半導体レーザ100の温度制御を行うことができる。
公开日期1993-11-26
申请日期1992-05-06
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72956]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NEC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
清水 春仁. 半導体レーザモジュール. JP1993315696A. 1993-11-26.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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