半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 山田 元量; 中村 修二 |
| 发表日期 | 1997-12-12 |
| 专利号 | JP2728190B2 |
| 著作权人 | NICHIA KAGAKU KOGYO KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 p-n接合を有する窒化ガリウム系半導体チップを用いた半導体レーザ素子において、特に半導体チップの冷却効率の優れたものを提供する。 【構成】 成長基板と、この成長基板上に順次形成されたn形及びp形窒化ガリウム層と、これらp形及びn形窒化ガリウム層にそれぞれ形成された一対の電極とを少なくとも有した半導体チップが支持基板上に設けられる半導体レーザ素子において、半導体チップは、半導体チップの大きさより大きい熱伝導性絶縁スペーサを介して支持基板上に固定されており、半導体チップの一対の電極が、支持基板と対向するp形及びn形窒化ガリウム層にそれぞれ形成され、一方、これら電極と対向した熱伝導性絶縁スペーサ上には対向電極層が形成され、電極と対向電極層とは熱導電性のある導電性接着剤で固定されている。 |
| 公开日期 | 1998-03-18 |
| 申请日期 | 1993-02-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72964]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NICHIA KAGAKU KOGYO KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 元量,中村 修二. 半導体レーザ素子. JP2728190B2. 1997-12-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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