半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 仲野 弘司 |
| 发表日期 | 1995-06-06 |
| 专利号 | JP1995147462A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】半導体レーザを冷却する機構を有する半導体レーザ装置において、ペルチェ素子の高温面の熱が低温面に伝わるのを防ぐ。 【構成】ペルチェ素子2の高温面に接するパッケージ領域と、ペルチェ素子2の低温面と熱的につながっているパッケージ領域との間に断熱層9を備えることによりペルチェ素子の高温面の熱がペルチェ素子2の低温面に伝わるのを防ぐ。 |
| 公开日期 | 1995-06-06 |
| 申请日期 | 1993-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72971]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仲野 弘司. 半導体レーザ装置. JP1995147462A. 1995-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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