半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 知野 豊治; 松田 賢一; 木戸口 勲 |
| 发表日期 | 1997-02-14 |
| 专利号 | JP1997045985A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 面発光レーザのメサをAlNで埋め込み放熱性を向上させる。 【構成】 n-GaAs基板100上に、p-GaAsバッファ層101、p型ブラッグ反射器102、活性層103、n型ブラッグ反射器104、キャップ層105を積層している。エアポスト107は、AlN層108により埋め込まれている。このように構成することにより、エアポストの周囲が空気である場合や半導体でエアポスト107が埋め込まれる場合に比べて活性層103の熱を高効率で放熱することができる。従って、エアポスト107自体が直接外気により冷却される場合やエアポスト107が半導体埋め込み層を通じて冷却される場合に比べ、一桁あるいは二桁以上、活性層103の冷却効率が高まる。これにより、発振しきい値の上昇、活性層温度上昇に伴う発振波長の変化が抑制され、最高連続発振温度の向上、最高光出力の向上が得られる。 |
| 公开日期 | 1997-02-14 |
| 申请日期 | 1995-07-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72997]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 知野 豊治,松田 賢一,木戸口 勲. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1997045985A. 1997-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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