半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 玉田 仁志; 山口 恭司 |
| 发表日期 | 1999-06-18 |
| 专利号 | JP1999163461A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザにおけるファーフィールドパターン(FFP:遠視野像)を狭幅化して、光利用効率を向上させる。 【解決手段】レーザ共振器の出射端面外側近傍に、出射レーザ光の光軸に沿ってミラーM1 、M2 を設ける。ミラーM1 、M2 に関する発光点Oの鏡像点O1 、O2 が夫々仮想光源となり、これら3つの光源からの光の干渉及びミラー端開口部での回折により、FFPが整形されて狭幅化する。このFFPの制御は、例えば、発光点Oと各ミラーM1 、M2 との距離によるa、各ミラーM1 、M2 の長さd、及び、各ミラーM1 、M2 の複素反射率rにより行う。一方のミラーM1のみでも、FFPの整形は可能である。 |
| 公开日期 | 1999-06-18 |
| 申请日期 | 1997-11-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73052]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉田 仁志,山口 恭司. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1999163461A. 1999-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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