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半導体レーザモジュール

文献类型:专利

作者愛清 武; 木村 俊雄
发表日期2000-12-15
专利号JP2000349386A
著作权人FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザモジュール
英文摘要【課題】 高出力、高環境温度下で使用可能な半導体レーザモジュールを提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子13、固定基板16、ペルチェモジュール12を収容するパッケージ11を有する半導体レーザモジュール10であって、半導体レーザ素子13を固定基板16に固定し、固定基板16をパッケージ11に固定されたペルチェモジュール12の冷却側基板に固定し、ペルチェモジュール12の低温側基板上の固定基板16がない部分に断熱材21が設けられている半導体レーザモジュール。
公开日期2000-12-15
申请日期1999-06-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73079]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE
推荐引用方式
GB/T 7714
愛清 武,木村 俊雄. 半導体レーザモジュール. JP2000349386A. 2000-12-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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