半導体レーザモジュール
文献类型:专利
作者 | 愛清 武; 木村 俊雄 |
发表日期 | 2000-12-15 |
专利号 | JP2000349386A |
著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザモジュール |
英文摘要 | 【課題】 高出力、高環境温度下で使用可能な半導体レーザモジュールを提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子13、固定基板16、ペルチェモジュール12を収容するパッケージ11を有する半導体レーザモジュール10であって、半導体レーザ素子13を固定基板16に固定し、固定基板16をパッケージ11に固定されたペルチェモジュール12の冷却側基板に固定し、ペルチェモジュール12の低温側基板上の固定基板16がない部分に断熱材21が設けられている半導体レーザモジュール。 |
公开日期 | 2000-12-15 |
申请日期 | 1999-06-09 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73079] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 愛清 武,木村 俊雄. 半導体レーザモジュール. JP2000349386A. 2000-12-15. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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