半導体レーザ駆動回路
文献类型：专利
| 作者 | 棚瀬 広宣; 市村 功 |
| 发表日期 | 2001-02-09 |
| 专利号 | JP2001036186A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ駆動回路 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaN系半導体レーザ等の高抵抗半導体レーザの駆動速度を向上可能な半導体レーザ駆動回路を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ駆動回路100は、入力信号S4〜S7を波形整形するバッファ回路40と、このバッファ回路40の出力信号S4A〜S7Aをレベルシフトするレベルシフト回路50と、スイッチ制御信号S3,S8に基づいてレベルシフト回路50の出力信号S4B〜S7Bの信号レベルを制御して出力するスイッチ回路60と、スイッチ回路60の出力信号S61,S62を合成する合成回路30と、合成回路30の出力信号Scに基づいて高抵抗半導体レーザ3に電源を供給するソースフォロワ4とを有する。高抵抗半導体レーザ3は、例えば、青紫色レーザ光を放射するGaN系半導体レーザである。 |
| 公开日期 | 2001-02-09 |
| 申请日期 | 1999-07-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73082]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 棚瀬 広宣,市村 功. 半導体レーザ駆動回路. JP2001036186A. 2001-02-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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