半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 西村 哲二; 尾松 英文 |
| 发表日期 | 2004-04-30 |
| 专利号 | JP2004130339A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】従来の半導体レーザ加工装置では、被加工物105からの散乱反射光107により集光光学素子102が加熱されて温度上昇し、長時間の加工を行うと光学部品としての使用温度限界に達する、あるいは温度上昇に伴い集光光学素子102の焦点距離が変化する為に加工品質が安定しないという課題を有していた。またこれらを防止する為に冷却用のホルダなどを取付けたりしているが、反射光によって配管部材の継手108やホース109が損傷するという課題もあわせ持っていた。本発明は、光学素子の温度上昇を抑制し、安定した加工品質を保つ半導体レーザ加工装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置の筐体5の内壁に冷却水路10を設け、被加工物6からの散乱放射光9に対して集光光学素子2やそのホルダ3に当たることによる光学素子の温度上昇を防止させる。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-04-30 |
| 申请日期 | 2002-10-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73092]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西村 哲二,尾松 英文. 半導体レーザ装置. JP2004130339A. 2004-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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