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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者飯村 紳一郎
发表日期2004-08-19
专利号JP2004235388A
著作权人SONY CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要【課題】冷却素子による放熱がレーザチップを再加熱することを防止して、レーザチップの温度上昇を抑制する。 【解決手段】レーザチップと直接またはマウント材を介して接合された冷却素子の放熱面に対し、その内壁面が接するようにされて設けられたケースとして、上記冷却素子の放熱面と接する第1の領域と、この第1の領域とは異なる第2の領域とにより形成し、上記第2の領域の比熱が、上記冷却素子の放熱面と接する第1の領域よりも大きくなるようにする。 これにより、上記冷却素子により放熱されて上記第1の領域に伝達された熱が、上記レーザチップを覆う第2の領域に伝達されるのを抑制することができ、レーザチップの再加熱を効果的に抑制することができる。また、ケース自体に断熱層を形成しないので、外部への放熱効率が低下してしまうのを防止できる。 【選択図】 図1
公开日期2004-08-19
申请日期2003-01-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73094]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
飯村 紳一郎. 半導体レーザ装置. JP2004235388A. 2004-08-19.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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