半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 山口 恭司 |
| 发表日期 | 2006-06-08 |
| 专利号 | JP2006147879A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】戻り光の影響を受けにくい半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ2から照射されたレーザ光L1は、シリンドリカルレンズ3aによって垂直方向の放射角を狭めて横長のビーム形状に整形され、非球面レンズ3bによって平行光に変換される。非球面レンズ3bで平行光に変換されたレーザ光L1は、非球面レンズ3cによって光ファイバ4の入射端面4aに傾斜して入射する。光ファイバ4の入射端面4aに入射した光の一部は反射して戻り光L2となる。戻り光L2は、レーザ光L1が入射端面4aに傾斜して入射することで、レーザ光L1と光路分離されて、非球面レンズ3cで平行光に変換される。戻り光L2の光路中にはフィルタ5Aが配置され、フィルタ5Aによって、レーザ光L1を遮断することなく、戻り光L2を遮断する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-06-08 |
| 申请日期 | 2004-11-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73108]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 恭司. 半導体レーザ装置. JP2006147879A. 2006-06-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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