半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 日向 進; 山崎 浩次; 深堀 秀則 |
| 发表日期 | 2010-05-20 |
| 专利号 | JP2010114269A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】大きな強度を保ちつつ高集積化されて高輝度な発光を行う半導体レーザ装置を得ること。 【解決手段】LDバー1の基板側を除去してLDバー1を薄膜化するとともに、LDバー1の最上面と最下面に導電性のスペーサである接合メタル8を配置し、LDバー1とLDバー1とを接合メタル8を介して熱圧着することにより複数のLDバー1が積層されたLDバー群を構成し、LDバー群を格納したパッケージ21内にLDバー群を冷却する液体N2を送出入する。 【選択図】図5 |
| 公开日期 | 2010-05-20 |
| 申请日期 | 2008-11-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73135]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 日向 進,山崎 浩次,深堀 秀則. 半導体レーザ装置. JP2010114269A. 2010-05-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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