光半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | 中村直干; 中井荣治 |
| 发表日期 | 2018-02-06 |
| 专利号 | CN107666110A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半导体装置 |
| 英文摘要 | 本发明的目的在于，得到一种能够抑制对接界面处的电流集中而使可靠性提高的光半导体装置。在n型半导体衬底(1)之上设置有n型包层(2)。在n型包层(2)之上设置有半导体激光器的有源层(3)和波导的波导层(4)。有源层(3)的侧面与波导层(4)的侧面相对。在有源层(3)及波导层(4)之上设置有p型包层(5)。中间层(8)设置于有源层(3)的侧面与波导层(4)的侧面之间及n型包层(2)与波导层(4)之间，没有设置于有源层(3)之上，带隙比波导层(4)的带隙大。 |
| 公开日期 | 2018-02-06 |
| 申请日期 | 2017-07-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73251]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村直干,中井荣治. 光半导体装置. CN107666110A. 2018-02-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。