氮化物半导体激光元件
文献类型：专利
| 作者 | 川口真生; 今藤修; 能崎信一郎; 萩野裕幸 |
| 发表日期 | 2018-03-27 |
| 专利号 | CN107851969A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1‑xN(0≤x＜1)构成。此外，n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。 |
| 公开日期 | 2018-03-27 |
| 申请日期 | 2016-07-19 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73286]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川口真生,今藤修,能崎信一郎,等. 氮化物半导体激光元件. CN107851969A. 2018-03-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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