一种半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 胡双元; 颜建 |
| 发表日期 | 2018-05-08 |
| 专利号 | CN108011291A |
| 著作权人 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器及其制备方法，其中，该半导体激光器包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能够降低检测组件与发光组件的对准难度，同时使得该半导体激光器能够自带功率检测功能，使用范围较广；且发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内，从发光组件发出的光线沿检测组件与发光组件的排列方向进入检测组件进行检测，即从发光组件发出的光线侧入射进入检测组件的吸收层，延长了光线在检测组件中的路径，进而能够提高检测组件的检测精度。 |
| 公开日期 | 2018-05-08 |
| 申请日期 | 2017-12-19 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73353]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡双元,颜建. 一种半导体激光器及其制备方法. CN108011291A. 2018-05-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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