一种窄线宽半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 房丹; 牛守柱; 朱笑天; 李洋; 王晓华 |
| 发表日期 | 2018-05-18 |
| 专利号 | CN108054634A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种窄线宽半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种2μm窄线宽锑化物半导体激光器及这种激光器的制备方法。该方法公开一种2μm锑化物半导体激光器结构，这种激光器结构制备在GaSb衬底上，由衬底往上依次为N型GaSb缓冲层、N型Al0.8Ga0.2As0.08Sb0.92下限制层、N型Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98下波导层、In0.15Ga0.85As0.02Sb0.98/Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98激光器有源区、P型Al0.21Ga0.79As0.02Sb0.98上波导层、P型Al0.8Ga0.2As0.08Sb0.92上限制层、P型GaSb盖层。采用PECVD方法在该激光器结构外延片上制备SiNx掩膜，利用诱导耦合等离子体刻蚀技术制作激光器的脊形波导。采用诱导耦合等离子体刻蚀在脊形波导上制作有效折射率微扰光栅结构单元，采用电子束光刻在脊形波导两侧制作二阶光栅结构。通过在脊形波导上制作有效折射率微扰光栅结构单元、在脊波导两侧制备二阶光栅结构，实现有效压窄激光线宽，提高激光器频率稳定性。 |
| 公开日期 | 2018-05-18 |
| 申请日期 | 2018-01-03 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73357]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏志鹏,唐吉龙,贾慧民,等. 一种窄线宽半导体激光器. CN108054634A. 2018-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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