一种半导体激光器芯片及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 颜建; 胡双元; 吴文俊; 黄勇; 米卡·瑞桑 |
| 发表日期 | 2018-09-07 |
| 专利号 | CN108512035A |
| 著作权人 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体激光器芯片及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制作方法，其中半导体激光器芯片包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器外延结构远离双面抛光衬底的一侧，与激光器外延结构的电极连接；太阳能电池外延结构的P面电极通过金线与金属热沉连接。在双面抛光衬底的正反面分别生长半导体激光器外延结构与太阳能电池外延结构，用金线和热沉实现电气连接，使半导体激光器芯片能够依靠自身结构中的太阳能电池供电，提高器件的集成度。 |
| 公开日期 | 2018-09-07 |
| 申请日期 | 2018-04-09 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73508]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 颜建,胡双元,吴文俊,等. 一种半导体激光器芯片及其制作方法. CN108512035A. 2018-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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