半导体激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | A.巴赫曼; C.劳尔; M.富里奇 |
| 发表日期 | 2018-09-28 |
| 专利号 | CN108604773A |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光二极管 |
| 英文摘要 | 半导体激光二极管包括层序列，该层序列包括在生长方向上的上下布置的多个层。该半导体激光二极管包括镜面刻面和输出耦合刻面，在镜面刻面和输出耦合刻面之间形成沿纵向方向延伸的谐振器。该层序列包括有源层，在有源层中形成有源区。该层序列还包括在生长方向上布置于有源层的上方的应力层。 |
| 公开日期 | 2018-09-28 |
| 申请日期 | 2016-11-08 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73529]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | A.巴赫曼,C.劳尔,M.富里奇. 半导体激光二极管. CN108604773A. 2018-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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