一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 张祥伟; 刘宝元; 陈靖; 聂亮; 陶禹; 韩峰; 吴玲玲; 郭荣礼
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| 发表日期 | 2018-10-16 |
| 专利号 | CN108666868A |
| 著作权人 | 西安工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，该激光器包括半导体衬底、主激光器和种子源激光器，所述主激光器包括由下至上依次布设的第一缓冲层、第一N面电流引导层、第一有源区、第一高铝层、第一P型分布式布拉格反射镜层和第一P面电流引导层；该方法包括以下步骤：一、半导体激光器芯片的生长；二、第一氧化限制层的制作；三、第一电流阻挡层、第一N面电极和第一P面电极的制作；四、第二氧化限制层的制作；五、第二电流阻挡层、第二N面电极和第二P面电极的制作。本发明结构简单、设计合理且体积小，通过种子源激光器提高主激光器输出高功率激光光束的光束质量，并能压缩激光线宽，实用性强。 |
| 公开日期 | 2018-10-16 |
| 申请日期 | 2018-07-31 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73548]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张祥伟,刘宝元,陈靖,等. 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN108666868A. 2018-10-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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