半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 宫坂文人 |
| 发表日期 | 2018-12-28 |
| 专利号 | CN109103746A |
| 著作权人 | 瑞萨电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本公开涉及半导体激光器。包括衬底和活性层与p型包覆层之间的p型电子溢出防止层的半导体激光器还包括p型应变层(p型AlzIn1‑zAs层，其中z>x)，p型应变层具有大的带隙、在p型电子溢出防止层(p型AlxIn1‑xAs层)和p型覆盖层之间。通过设置p型应变层(p型AlzIn1‑zAs层)，能够降低价带上的异质结尖峰的高度，从而降低向活性层注入空穴的势垒，从而降低元件中的电阻并且减少半导体激光器中的发热。另外，能带中的导带势垒(ΔEc)被提高，从而有效地防止电子溢出。因此，半导体激光器的特性得到改善。 |
| 公开日期 | 2018-12-28 |
| 申请日期 | 2018-06-07 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73675]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 瑞萨电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宫坂文人. 半导体激光器. CN109103746A. 2018-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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