半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐藤 宏; 土屋 朋信; 青木 雅博; 北谷 健; ▲高▼橋 範次 |
| 发表日期 | 2005-06-09 |
| 专利号 | JP2005150181A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、InGaAlAs系材料を活性層とする埋め込みヘテロ型レーザにおいて、活性層に含まれるAlの酸化によって活性層の埋め込み再成長が阻害されるのを防止することにより、結晶欠陥の少ない埋め込み成長層を有し、低消費電力で高信頼性を有するレーザ素子の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 半導体基板101上の少なくとも一部または全体に、活性層102とクラッド層103が順次積層された半導体レーザにおいて、活性層が少なくともAlを含有する材料から構成され、かつ、断面構造が埋め込みヘテロ型であり、この埋め込みヘテロ型構造の形成において、少なくともウエットエッチングを含むエッチングによって活性層をストライプ状またはメサ状に加工する工程と、ストライプ状のコア層側壁を塩素または他のハロゲン元素を含有するガスを用いて結晶成長装置内で清浄化する工程と、半導体で活性層を埋めこむ工程とを有する半導体レーザの製造方法。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2005-06-09 |
| 申请日期 | 2003-11-12 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73705]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤 宏,土屋 朋信,青木 雅博,等. 半導体レーザの製造方法. JP2005150181A. 2005-06-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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