半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 冨士原 潔 |
| 发表日期 | 1998-10-23 |
| 专利号 | JP1998284800A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 温度変化による特性変動がほとんどなく、また高い信頼性を有する半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 p-InP基板401上に、SiO2膜402を堆積し、ストライプマスクを形成し、このマスクを利用してErイオンを注入する。表面のマスクを除去し、エピタキシャル法によりp-InPクラッド層405、InGaAsP導波路層406、InGaAsP井戸層とInGaAsPバリア層からなる量子井戸構造活性領域407、InGaAsP導波路層408、n-InPクラッド層409を積層させる。n-InPクラッド層上にn型電極410を形成し、このn型電極をマスクとして塩素系ガスを用いたイオンビームエッチングにより、InGaAsP導波路層上のn-InPクラッド層をエッチングし、さらにn型電極をマスクとしてErイオンを注入する。この素子は、外部環境の影響を受けにくい4f軌道での電子の遷移を用いた希土類の発光のため、波長の温度変動はほとんどない。 |
| 公开日期 | 1998-10-23 |
| 申请日期 | 1997-04-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73742]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨士原 潔. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1998284800A. 1998-10-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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